[发明专利]CMP抛光垫中的渗透式开凹槽在审
| 申请号： | 201410471921.6 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104440519A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·李·舒特;普拉卡什·拉克希米坎坦 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | B24B37/26 | 分类号： | B24B37/26;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CMP抛光垫中的渗透式开凹槽。一种用于抛光半导体晶片或其它材料的抛光垫(104a)，在所述抛光垫中具有凹槽(112)以增强所述抛光垫的可使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 抛光 中的 渗透 凹槽 | ||
【主权项】：
一种CMP抛光垫，其包括：CMP抛光层，其包含经配置以在存在抛光媒质的情况下抛光磁性、光学或半导体衬底中的至少一者的表面的抛光垫，所述抛光层包含旋转轴、外周边及与所述旋转轴同心的环形抛光轨迹，其中所述抛光垫具有顶部表面、底部表面及厚度；多个凹槽，其形成于所述抛光垫中，包括完全位于所述抛光垫内的第一及第二组凹槽；位于所述抛光垫的所述顶部表面上的所述第一组凹槽具有一图案且垂直地穿透到抛光垫的所述顶部表面中达所述抛光垫厚度的至少50％；且所述第二组凹槽位于所述抛光垫的所述底部表面上、具有与所述第一组凹槽的所述图案相同的图案且垂直地穿透到抛光垫的所述底部表面中达所述抛光垫厚度的至少50％；且其中所述第一组凹槽位于内部端之间并在所述内部端处交错而所述第一组凹槽与所述第二组凹槽之间不具有任何相交点，且经配置以向正抛光的材料呈现从所述垫的所述顶部到所述抛光垫的所述底部的6％内的连续凹槽。
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