[发明专利]一种钼平面靶材的制造方法有效

专利信息
申请号: 201410469939.2 申请日: 2014-09-15
公开(公告)号: CN105478772B 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 王铁军;穆健刚;张凤戈;李建奎;姚伟;梁俊才;刘健;陈鹏 申请(专利权)人: 安泰科技股份有限公司
主分类号: B22F3/16 分类号: B22F3/16;C23C14/34
代理公司: 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 代理人: 刘春成;荣红颖
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种钼平面靶材的制造方法。该方法以钼粉为原料,依次包括装粉步骤、冷等静压步骤、烧结步骤、热等静压步骤。其具有工艺简单,工艺路程短,质量易于控制,生产成本低,靶材纯度高,气体含量低,组织均匀、晶粒细小的优点。
搜索关键词: 一种 平面 制造 方法
【主权项】:
1.一种钼平面靶材的制造方法,其特征在于,该制造方法以钼粉为原料,依次包括:装粉步骤,将钼粉装入预先制作好的模具中,所述钼粉为平均晶粒尺寸2.8~3μm、纯度大于99.95%的Mo‑1粉;冷等静压步骤,将装好钼粉的模具放入冷等静压机中进行冷等静压处理,卸压脱模后获得冷等静压锭坯;烧结步骤,将所述冷等静压锭坯放入烧结炉进行烧结处理,烧结后随炉冷却得到烧结后锭坯;热等静压步骤,将所述烧结锭坯直接放入热等静压机中进行热等静压处理;和机械加工步骤,对热等静压处理处理过的锭坯进行机械加工以得到目标尺寸的钼平面靶材;在所述冷等静压步骤中,冷等静压力为220~250MPa,保压时间为20~30分钟;在所述烧结步骤中,烧结炉的烧结温度控制在1900℃~2100℃,烧结时间控制在6~12h,所述烧结时通入氢气,氢气流量控制在4~5m3/h;在所述热等静压步骤中,所述热等静压机的热等静压温度控制在1400~1600℃,热等静压压力控制在170~200MPa,热等静压保温时间为3~4h;所述目标尺寸的钼平面靶材的规格为:长2200mm,宽1200mm,厚22mm;或长2560mm,宽800mm,厚24.8mm;或长2900mm,宽200mm,厚16mm。
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