[发明专利]一种钼平面靶材的制造方法

权利要求书

1.一种钼平面靶材的制造方法，其特征在于，该制造方法以钼粉为原料，依次包括：

装粉步骤，将钼粉装入预先制作好的模具中，所述钼粉为平均晶粒尺寸2.8～3μm、纯度大于99.95％的Mo-1粉；

冷等静压步骤，将装好钼粉的模具放入冷等静压机中进行冷等静压处理，卸压脱模后获得冷等静压锭坯；

烧结步骤，将所述冷等静压锭坯放入烧结炉进行烧结处理，烧结后随炉冷却得到烧结后锭坯；

热等静压步骤，将所述烧结锭坯直接放入热等静压机中进行热等静压处理；和

机械加工步骤，对热等静压处理处理过的锭坯进行机械加工以得到目标尺寸的钼平面靶材；

在所述冷等静压步骤中，冷等静压力为220～250MPa，保压时间为20～30分钟；

在所述烧结步骤中，烧结炉的烧结温度控制在1900℃～2100℃，烧结时间控制在6～12h，所述烧结时通入氢气，氢气流量控制在4～5m³/h；

在所述热等静压步骤中，所述热等静压机的热等静压温度控制在1400～1600℃，热等静压压力控制在170～200MPa，热等静压保温时间为3～4h；

所述目标尺寸的钼平面靶材的规格为：长2200mm，宽1200mm，厚22mm；或长2560mm，宽800mm，厚24.8mm；或长2900mm，宽200mm，厚16mm。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述冷等静压步骤和所述烧结步骤之间存在整形步骤，在所述整形步骤中，用铣床将脱模后的冷等静压锭坯整形。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述烧结步骤中，所述烧结时间控制在8～12h，所述烧结后随炉冷却到200℃以下。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述热等静压保温时间为2～4h。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述热等静压步骤在惰性气体保护气氛下进行。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述热等静压步骤在氩气保护气氛下进行。