[发明专利]一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410468409.6 申请日: 2014-09-15
公开(公告)号: CN105406354A 公开(公告)日: 2016-03-16
发明(设计)人: 曲轶;郭海侠;石宝华;高峰;李再金;李辉;乔忠良;张晶 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明利用全息光刻和湿法腐蚀工艺制备出适用于大功率808nm半导体激光器的分布反馈布拉格光栅,涉及半导体器件制造技术领域。其特征在于,利用金属有机化合物气相沉淀(MOCVD)技术在GaAs基上进行一次外延生长,利用曝光源为325nmHe-Cd激光器的全息曝光系统对已制备好的外延片进行曝光,经历显影、坚膜,最后利用体积配比为HCl:C2H6O2=3:2的腐蚀液对InGaP光栅层进行腐蚀,获得光栅。其中本发明有益效果是在InGaP光栅层上制备出具有较好形貌的二阶光栅,且其占空比和凹槽深度等参数决定了激光器具有窄线宽和较小的波长漂移度。同时,这种工艺可用于其它波长的大功率化合物半导体激光器,具有广泛的应用价值。
搜索关键词: 一种 大功率 808 nm dfb ld 内置 光栅 制备 方法
【主权项】:
一种大功率808nm分布反馈半导体激光器中内置光栅的制备方法,其特征在于,利用MOCVD进行一次外延生长,一次外延生长步骤为:(1)在GaAs外延基底片上生长出图1中1所标示的厚度为0.5mm的N‑GaAs(Si掺杂,2.0´1018 cm‑3)缓冲层;(2)继续生长图1中2所标示的厚度为0.05mm的 N‑GaxAl1‑xAs(x=0.05~0.55,Si掺杂,~1.0´1018 cm‑3)渐变的过渡层;(3)继续生长图1中3所标示的厚度为1.2mm的N‑Al0.55Ga0.45As(Si掺杂,1.0´1018 cm‑3)下限制层;(4)继续生长图1中4所标示的厚度为0.15mm的非故意掺杂AlxGa1‑xAs(x=0.55~0.25)渐变波导层;(5)继续生长图1中5所标示的厚度为5nm的非故意掺杂Al0.25Ga0.75As量子阱势垒层;(6)继续生长图1中6所标示的厚度为4nm的非故意掺杂Al0.07Ga0.93As量子阱阱层;(7)继续生长图1中7所标示的厚度为5nm的非故意掺杂Al0.25Ga0.75As量子阱势垒层;(8)继续生长图1中8所标示的厚度为0.15mm的非故意掺杂AlxGa1‑xAs(x=0.25~0.55)渐变波导层;(9)最后生长图1中9所标示的厚度为30nm P‑In0.4Ga0.6P光栅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学,未经长春理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410468409.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top