[发明专利]一种大功率808nm DFB LD内置光栅的制备方法

权利要求书

1.一种大功率808nm分布反馈半导体激光器中内置光栅的制备方法，其特征在于，利用MOCVD进行一次外延生长，一次外延生长步骤为：（1）在GaAs外延基底片上生长出图1中1所标示的厚度为0.5mm的N-GaAs（Si掺杂，2.0′10¹⁸cm^-3）缓冲层；（2）继续生长图1中2所标示的厚度为0.05mm的N-Ga_xAl_1-xAs（x=0.05~0.55，Si掺杂，~1.0′10¹⁸cm^-3）渐变的过渡层；（3）继续生长图1中3所标示的厚度为1.2mm的N-Al_0.55Ga_0.45As（Si掺杂，1.0′10¹⁸cm^-3）下限制层；（4）继续生长图1中4所标示的厚度为0.15mm的非故意掺杂Al_xGa_1-xAs（x=0.55~0.25）渐变波导层；（5）继续生长图1中5所标示的厚度为5nm的非故意掺杂Al_0.25Ga_0.75As量子阱势垒层；（6）继续生长图1中6所标示的厚度为4nm的非故意掺杂Al_0.07Ga_0.93As量子阱阱层；（7）继续生长图1中7所标示的厚度为5nm的非故意掺杂Al_0.25Ga_0.75As量子阱势垒层；（8）继续生长图1中8所标示的厚度为0.15mm的非故意掺杂Al_xGa_1-xAs（x=0.25~0.55）渐变波导层；（9）最后生长图1中9所标示的厚度为30nmP-In_0.4Ga_0.6P光栅层。

2.根据权利要求1所述的一种大功率808nm分布反馈半导体激光器中内置光栅的制备方法，其特征在于，（1）将准备好的外延片放置在以325nmHe-Cd激光器为曝光源的SVG-GL240全息曝光系统中，曝光时间为160s，曝光功率为50mW，将曝光后的外延片放入显影液中显影6s，随后放在100℃加热板上坚膜60s；（2）将坚膜后的外延片放进已配置好的腐蚀液中30s，该腐蚀液是按体积比为：配置的混合溶液，从而获得周期为，凹槽深度为，光栅的脊宽为的光栅。