[发明专利]沟槽型功率器件中沟槽底部的厚氧化层的制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型功率器件中沟槽底部的厚氧化层的制备方法，包括以下步骤，提供具有外延生长层的衬底结构；在所述外延生长层上形成沟槽；沿所述沟槽的上边沿表面、侧壁、底部沉积等离子加强的四乙基硅酸脂，以形成第一层氧化层；沿所述第一层氧化层沉积掺硼和磷的二氧化硅，以形成第二层氧化层；回流所述第二氧化层；去除所述沟槽的上边沿的第二氧化层和第一氧化层；去除所述沟槽的侧壁内的一部分第一氧化层和第二氧化层，保留沟槽的底部及底部向上的侧壁内的一部分第一氧化层和第二氧化层，以在所述沟槽的底部形成厚氧化层。本发明能够快速制备绝缘性能更好的厚氧化层。

主权项

1.一种沟槽型功率器件中沟槽底部的厚氧化层的制备方法，包括以下步骤，步骤(S0)，提供具有外延生长层的衬底结构；步骤(S1)，在所述外延生长层上形成沟槽；在所述步骤(S1)之后，还包括对所述沟槽的拐角进行圆滑处理的步骤，以形成具有倒角形状的沟槽；步骤(S2)，采用低气压化学气相沉积法沿所述沟槽的上边沿表面、侧壁、底部沉积四乙基硅酸脂，以形成生长二氧化硅膜的第一氧化层；步骤(S3)，采用常压化学气相沉积法沿所述第一氧化层沉积掺硼和磷的二氧化硅，以在所述第一氧化层的上面形成第二氧化层，所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度；步骤(S4)，回流所述第二氧化层，使所述沟槽底部的第二氧化层的厚度大于所述沟槽的上边沿表面及侧壁的第二氧化层的厚度；步骤(S5)，采用化学机械研磨工艺去除所述沟槽的上边沿的第二氧化层和第一氧化层；步骤(S6)，采用蚀刻工艺沿所述沟槽侧壁从上到下去除所述沟槽的侧壁内的一部分第一氧化层和第二氧化层，保留沟槽的底部的第一氧化层和一部分第二氧化层，以在所述沟槽的底部形成厚氧化层。