[发明专利]LED芯片的制备方法和LED芯片在审
| 申请号： | 201410456241.7 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104218124A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 姚禹;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片的制备方法和LED芯片，能够有效提高芯片发光亮度。方案为：在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层；在芯片发光区内部移除部分P型半导体层和有源层，使得部分N型半导体层裸露形成第一通孔；在P型半导体层上制作透明导电层，并移除透明导电层位于第一通孔内N型半导体层上覆盖的部分，移除部分透明导电层使得部分P型半导体层裸露形成第二通孔；在透明导电层上制作绝缘层，并移除位于第一通孔内N型半导体层上覆盖的部分；在第一通孔上形成第一反射电极，并在第二通孔上形成第二反射电极，第一反射电极与裸露的N型半导体层形成欧姆接触，第二反射电极与裸露的P型半导体层形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层；在芯片发光区内部移除部分所述P型半导体层和所述有源层，使得部分所述N型半导体层裸露形成第一通孔；在所述P型半导体层之上制作透明导电层，并移除所述透明导电层位于所述第一通孔内所述N型半导体层上覆盖的部分，移除部分所述透明导电层使得部分所述P型半导体层裸露形成第二通孔；在所述透明导电层之上制作绝缘层，并移除所述绝缘层位于所述第一通孔内所述N型半导体层上覆盖的部分；在所述第一通孔上形成第一反射电极，并在所述第二通孔上形成第二反射电极，所述第一反射电极与所述裸露的N型半导体层形成欧姆接触，所述第二反射电极与所述裸露的P型半导体层形成欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆融光电科技有限公司，未经圆融光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410456241.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
