[发明专利]LED芯片的制备方法和LED芯片

权利要求书

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层；

在芯片发光区内部移除部分所述P型半导体层和所述有源层，使得部分所述N型半导体层裸露形成第一通孔；

在所述P型半导体层之上制作透明导电层，并移除所述透明导电层位于所述第一通孔内所述N型半导体层上覆盖的部分，移除部分所述透明导电层使得部分所述P型半导体层裸露形成第二通孔；

在所述透明导电层之上制作绝缘层，并移除所述绝缘层位于所述第一通孔内所述N型半导体层上覆盖的部分；

在所述第一通孔上形成第一反射电极，并在所述第二通孔上形成第二反射电极，所述第一反射电极与所述裸露的N型半导体层形成欧姆接触，所述第二反射电极与所述裸露的P型半导体层形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在芯片发光区内部移除部分所述P型半导体层和所述有源层，使得部分所述N型半导体层裸露形成第一通孔包括：

在所述芯片发光区内部通过光刻和等离子刻蚀的方式移除部分所述P型半导体层和所述有源层，使得部分所述N型半导体层裸露形成第一通孔，所述第一通孔的尺寸小于所述第一反射电极的尺寸，所述第一通孔的刻蚀深度为10000-15000A。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述P型半导体层之上制作透明导电层，并移除所述透明导电层位于所述第一通孔内所述N型半导体层上覆盖的部分，移除部分所述透明导电层使得部分所述P型半导体层裸露形成第二通孔包括：

通过电子束蒸发、溅镀形成所述透明导电层，再通过光刻、湿法蚀刻的方式移除所述透明导电层位于所述第一通孔内所述N型半导体层上覆盖的部分以及移除部分所述透明导电层使得部分所述P型半导体层裸露形成第二通孔；所述透明导电层的材料包括以下中的至少一种：ITO、ZnO、AZO、FTO、TCO，且所述透明导电层的厚度为30-500nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述透明导电层之上制作绝缘层，并移除所述绝缘层位于所述第一通孔内所述N型半导体层上覆盖的部分包括：

通过电子束蒸发、溅射、气相沉积的方式在所述第一反射电极所在区域形成所述绝缘层，再通过光刻、湿法蚀刻的方式移除所述绝缘层位于所述第一通孔内所述N型半导体层上覆盖的部分；或者

通过电子束蒸发、溅射、气相沉积的方式在所述芯片的整个表面形成所述绝缘层，再通过光刻、湿法蚀刻的方式移除所述绝缘层位于所述第一通孔内所述N型半导体层上覆盖的部分以及移除所述绝缘层位于所述第二通孔内所述P型半导体层上覆盖的部分。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述绝缘层完全覆盖所述第一通孔内由所述P型半导体层、所述有源层、所述N型半导体层形成的侧壁。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述绝缘层至少覆盖所述第一通孔内裸露的N型半导体层与所述侧壁的交界处，并部分覆盖所述第一通孔内裸露的N型半导体层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的材料包括以下中的至少一种：SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一通孔上形成第一反射电极，并在所述第二通孔上形成第二反射电极包括：

通过电子束蒸发和剥离的方式在所述第一通孔上形成所述第一反射电极以及在所述第二通孔上形成所述第二反射电极，所述第一反射电极和所述第二反射电极的材料包括以下中的至少一种：Ti、Al、Cr、Pt、Au、Ni、Ag，所述第一反射电极和所述第二反射电极厚度为1-3um。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述P型半导体层与所述第二反射电极之间设置有电流阻挡层用于提高发光亮度。

10.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片采用如权利要求1至9任一所述的方法制得。