[发明专利]晶片预清洗腔室及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201410455191.0 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105390368A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 张彦召;陈鹏;刘建生 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的晶片预清洗腔室及半导体加工设备，包括下电极组件，该下电极组件将晶片预清洗腔室分隔成等离子体产生腔和晶片处理腔；在该等离子体产生腔内与下电极组件相对设置有上电极组件，并且在晶片处理腔内设置有用于承载晶片的承载装置，下电极组件用于在等离子体自等离子体产生腔进入晶片处理腔时，过滤等离子体中的带电粒子。本发明提供的晶片预清洗腔室，其可以过滤等离子体中的带电粒子，从而可以避免带电粒子损伤晶片上的Low-k材料，进而可以提高产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 清洗 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种晶片预清洗腔室，其特征在于，包括下电极组件，所述下电极组件将所述晶片预清洗腔室分隔成等离子体产生腔和晶片处理腔；在所述等离子体产生腔内与所述下电极组件相对设置有上电极组件，并且在所述晶片处理腔内设置有用于承载晶片的承载装置，所述下电极组件用于在等离子体自所述等离子体产生腔进入所述晶片处理腔时，过滤所述等离子体中的带电粒子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
