[发明专利]晶片预清洗腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种晶片预清洗腔室，其特征在于，包括下电极组件，所述下电极组件将所述晶片预清洗腔室分隔成等离子体产生腔和晶片处理腔；在所述等离子体产生腔内与所述下电极组件相对设置有上电极组件，并且在所述晶片处理腔内设置有用于承载晶片的承载装置，所述下电极组件用于在等离子体自所述等离子体产生腔进入所述晶片处理腔时，过滤所述等离子体中的带电粒子。

2.根据权利要求1所述的晶片预清洗腔室，其特征在于，所述下电极组件包括下电极板，所述下电极板接地，且在所述下电极板上均匀分布有多个通孔，每个通孔分别与所述等离子体产生腔和晶片处理腔连通，且每个通孔具有预设的深宽比，所述深宽比为所述通孔的轴向长度与其径向截面形状的最小宽度的比值。

3.根据权利要求2所述的晶片预清洗腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括至少一个过滤板，所述至少一个过滤板将所述晶片处理腔隔离形成沿所述晶片预清洗腔室的轴向间隔设置的至少两个子腔，所述承载单元位于最底部的子腔内；并且，

每个过滤板接地，且在每个过滤板上均匀分布有多个通孔，每个通孔分别和与该过滤板相邻的两个子腔连通，且每个通孔具有预设的深宽比，所述深宽比为所述通孔的轴向长度与其径向截面形状的最小宽度的比值。

4.根据权利要求2或3所述的晶片预清洗腔室，其特征在于，所述通孔的深宽比被设置为：至少能够过滤所述等离子体中的带电粒子。

5.根据权利要求1所述的晶片预清洗腔室，其特征在于，所述上电极组件包括上电极板，所述上电极板将所述晶片预清洗腔室的顶部隔离形成匀流腔，用以将流入其内的反应气体均匀化分布；

在所述上电极板上均匀分布有多个出气口，每个出气口分别与所述匀流腔和所述等离子体产生腔连通。

6.根据权利要求5所述的晶片预清洗腔室，其特征在于，在所述晶片预清洗腔室内，且位于所述上电极板的上方还设置有一个或多个匀流板，且所述多个匀流板沿竖直方向间隔设置，用以将所述匀流腔隔离形成至少两个匀流子腔；

在每个所述匀流板上均匀分布有多个通孔，每个通孔分别和与该匀流板相邻的两个匀流子腔连通。

7.根据权利要求5所述的晶片预清洗腔室，其特征在于，所述晶片预清洗腔室还包括环形部件，所述环形部件位于所述晶片预清洗腔室的上盖和侧壁之间，所述上电极板固定在该环形部件上，且与所述环形部件和所述上盖形成所述匀流腔；

所述环形部件采用绝缘材料制作，以使所述晶片预清洗腔室的上盖和侧壁之间，以及所述上电极板与所述等离子体产生腔之间电绝缘。

8.根据权利要求1所述的晶片预清洗腔室，其特征在于，所述承载单元包括静电卡盘、机械卡盘或基座。

9.一种半导体加工设备，包括反应腔室和晶片预清洗腔室，其特征在于，所述晶片预清洗腔室采用权利要求1-8任一项所述晶片预清洗腔室。

10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括物理气相沉积设备。