[发明专利]半导体发光装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410452799.8 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104952985A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 菅原保晴 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种可提高制造良率的半导体发光装置及其制造方法。实施方式的半导体发光装置包括半导体层、第一配线部、第二配线部、第一绝缘膜、及第二绝缘膜。所述半导体层具有第一侧、及与所述第一侧相反的第二侧，且包含第一导电型层、第二导电型层、及设置在所述第一导电型层与所述第二导电型层之间的发光层。所述第一配线部设置在所述第二侧，且电连接于所述第一导电型层。所述第二配线部设置在所述第二侧，且电连接于所述第二导电型层。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一配线部之间、及所述半导体层与所述第二配线部之间。所述第二绝缘膜与所述半导体层的所述第一侧相接，且具有与所述第一绝缘膜不同的膜密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，其特征在于包括：半导体层，具有第一侧、及与所述第一侧相反的第二侧，且包含第一导电型层、第二导电型层、及设置在所述第一导电型层与所述第二导电型层之间的发光层；第一配线部，设置在所述第二侧，且电连接于所述第一导电型层；第二配线部，设置在所述第二侧，且电连接于所述第二导电型层；第一绝缘膜，设置在所述半导体层与所述第一配线部之间、及所述半导体层与所述第二配线部之间；以及第二绝缘膜，与所述半导体层的所述第一侧相接，且具有与所述第一绝缘膜不同的膜密度。
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