[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

说明书

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2014-65345号(申请日：2014年3月27日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种半导体发光装置及其制造方法。

背景技术

不断推进使半导体发光装置小型化而得的芯片大小器件的开发。这些器件包含从成长基板分离的半导体层、及覆盖半导体层的周围的树脂。而且，为了提高半导体层与树脂的粘着强度，较理想的是例如使氧化硅膜等绝缘膜介置在半导体层与树脂之间。然而，绝缘膜存在因其应力而导致半导体发光装置的制造良率下降的情况。

发明内容

实施方式提供一种可提高制造良率的半导体发光装置。

实施方式的半导体发光装置包括半导体层、第一配线部、第二配线部、第一绝缘膜、及第二绝缘膜。所述半导体层具有第一侧、及与所述第一侧相反的第二侧，且包含第一导电型层、第二导电型层、及设置在所述第一导电型层与所述第二导电型层之间的发光层。所述第一配线部设置在所述第二侧，且电连接于所述第一导电型层。所述第二配线部设置在所述第二侧，且电连接于所述第二导电型层。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一配线部之间、及所述半导体层与所述第二配线部之间。所述第二绝缘膜与所述半导体层的所述第一侧相接，且具有与所述第一绝缘膜不同的膜密度。

附图说明

图1是例示实施方式的半导体发光装置的示意剖视图。

图2是例示实施方式中的绝缘膜的特性的曲线图。

图3(a)及(b)是例示实施方式的半导体发光装置的示意俯视图。

图4(a)及(b)是例示实施方式的半导体发光装置的制造过程的示意剖视图。

图5(a)及(b)是例示继图4之后的制造过程的示意剖视图。

图6(a)及(b)是例示继图5之后的制造过程的示意剖视图。

图7(a)及(b)是例示继图6之后的制造过程的示意剖视图。

图8(a)及(b)是例示继图7之后的制造过程的示意剖视图。

图9(a)及(b)是例示继图8之后的制造过程的示意剖视图。

图10(a)及(b)是例示继图9之后的制造过程的示意剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图，对实施方式进行说明。此外，在各附图中，对相同元件标注相同的符号。

图1是例示实施方式的半导体发光装置1的示意剖视图。

图2是例示实施方式中的绝缘膜的特性的曲线图。

图3(a)及(b)是例示实施方式的半导体发光装置1的示意俯视图。图1是沿着图3(a)中所示的A-A′线的剖视图。图3(a)及图3(b)是表示图1所示的半导体发光装置1的下表面侧的俯视图。图3(a)表示半导体发光装置1的下表面侧的去除构造体之后的面，与下述图5(b)的上表面对应。

半导体发光装置1具备包含发光层13的半导体层15。半导体层15具有第一侧15a、及第一侧15a相反的第二侧15b(参照图4(a))。另外，半导体层15包含第一导电型层(以下为n型层11)、及第二导电型层(以下为p型层12)。发光层13设置在n型层11与p型层12之间。

该例中，将第一导电层设为n型层、第二导电型层设为p型层而进行说明，但并不限定于此。也可以将第一导电层设为p型层，将第二导电型层设为n型层。

如图5(a)所示，半导体层15的第二侧15b具有包含发光层13的部分(以下为发光区域15e)、及不包含发光层13的部分(以下为非发光区域15f)。发光区域15e是半导体层15中积层着发光层13的部分。非发光区域15f是半导体层15中未积层发光层13的部分。发光区域15e成为能够将发光层13发出的光提取到外部的积层构造。

半导体层15的第二侧15b被加工成凹凸形状。该凹凸形状的凸部为发光区域15e，凹部为非发光区域15f。在该例中，发光区域15e在第二侧15b包含p型层12，且在p型层12的表面设置p侧电极16。非发光区域15f包含n型层11，且在n型层11的第二侧15b的表面设置n侧电极17。

进而，半导体发光装置1包括设置在第二侧15b的p侧配线部41(第二配线部)及n侧配线部43(第一配线部)。p侧配线部41包含p侧配线层21、及p侧金属支柱23，且经由p侧电极16而电连接于p型层12。n侧配线部43包含n侧配线层22、及n侧金属支柱24，且经由n侧电极17而电连接于n型层11。