[发明专利]金属互连结构的制造方法有效
申请号: | 201410449607.8 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN104576516B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 由云鹏 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属互连结构的制造方法,包括步骤提供一衬底并在衬底上生长或淀积一层介质层;进行光刻刻蚀形成接触孔窗口;淀积第一层金属薄膜;进行光刻刻蚀形成第一层金属互连窗口;淀积第二层金属薄膜;进行光刻刻蚀形成第二层金属互连窗口,第二层金属互连窗口将第一层金属互连窗口完全包裹并叠加形成金属互连结构。本发明能增加金属互连结构的厚度、提高电路抗大电流、强功率的能力,同时能使金属的光刻刻蚀工艺容易实现、降低光刻所需的光刻胶厚度以及降低金属较厚所带来的负载效应的不利影响。 | ||
搜索关键词: | 金属 互连 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种金属互连结构的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供一衬底,所述衬底上形成有需要通过金属互连结构引出的掺杂区,在所述衬底上生长或淀积一层介质层;步骤二、采用光刻刻蚀工艺对选定区域的所述介质层进行刻蚀形成接触孔窗口,所述接触孔窗口曝露出其底部的所述衬底的掺杂区;步骤三、淀积第一层金属薄膜;所述第一层金属薄膜填充所述接触孔窗口并延伸到所述接触孔窗口外部的所述介质层表面;所述第一层金属薄膜的材料为铝硅铜合金;步骤四、采用光刻刻蚀工艺对选定区域的所述第一层金属薄膜进行刻蚀形成第一层金属互连窗口,所述第一层金属互连窗口的厚度大于所述接触孔窗口的深度,所述第一层金属互连窗口的底部金属完全填充所述接触孔窗口、所述第一层金属互连窗口的顶部金属的宽度大于所述接触孔窗口的宽度;步骤五、淀积第二层金属薄膜;所述第二层金属薄膜将所述第一层金属互连窗口完全包裹并延伸到所述第一层金属互连窗口外部的所述介质层表面;所述第二层金属薄膜的材料为铝硅铜合金;步骤六、采用光刻刻蚀工艺对选定区域的所述第二层金属薄膜进行刻蚀形成第二层金属互连窗口,所述第二层金属互连窗口的金属从所述第一层金属互连窗口的顶部和侧面将所述第一层金属互连窗口完全包裹,所述第二层金属互连窗口包裹在所述第一层金属互连窗口的侧面的金属宽度为3微米~6微米;由所述第一层金属互连窗口和所述第二层金属互连窗口叠加形成金属互连结构,该金属互连结构用于将所述接触孔窗口底部的所述衬底的掺杂区引出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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