[发明专利]金属互连结构的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种金属互连结构的制造方法。

背景技术

金属和金属性材料在集成电路工艺中的应用被称为金属化。大多数现代金属系统采用铝-铜-硅合金作为集成电路工艺中的互连金属材料。如图1A至图1E所示，是现有金属互连结构的制造方法各步骤中的金属互连结构示意图；现有金属互连结构的制造方法中一般的单层金属(SLM)互连实现，形成过程包括如下步骤：

步骤一、如图1A所示，提供一衬底102，所述衬底102上形成有需要通过金属互连结构引出的掺杂区101，掺杂区101通过注入或扩散形成。如图1B所示，在完成最后的注入和扩散后，在所述衬底上生长或淀积一层介质层103如氧化物介质层，该氧化物介质层作为层间膜(ILD)。

步骤二、如图1C所示，采用光刻刻蚀工艺对选定区域的所述介质层103进行刻蚀形成接触孔窗口103a，所述接触孔窗口103a曝露出其底部的所述衬底102的掺杂区101；

步骤三、如图1D所示，淀积金属薄膜104。

步骤四、如图1E所示，采用光刻刻蚀工艺对选定区域的所述金属薄膜104进行刻蚀形成金属互连窗口104a，由该金属互连窗口104a形成金属互连结构104a，该金属互连结构104a用于将所述接触孔窗口103a底部的所述衬底102的掺杂区101引出。

随着科技的不断发展，半导体集成电路产品被越来越多地用于高电流、高功率技术领域，因此这对于互连金属要求也随之提高。直接影响因素就是互连金属即图1E中所示的金属薄膜104或金属互连结构104a的厚度，即金属的厚度越厚，电路抗大电流、强功率的能力越强。但基于典型的金属互连工艺存在两个重要问题：①刻蚀越厚的金属，要求光刻胶厚度越厚以保护金属互连窗口104a，但是工艺上光刻胶涂布厚度存在极限，否则会发生光刻显影不净等异常现象；②过厚的金属淀积，会导致金属间距变小，由于负载效应(load effect)的影响，密集区金属间会刻蚀不净造成金属残留，使得电路因短路而失效。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种金属互连结构的制造方法，能增加金属互连结构的厚度、提高电路抗大电流、强功率的能力，同时能使金属的光刻刻蚀工艺容易实现、降低光刻所需的光刻胶厚度以及降低金属较厚所带来的负载效应的不利影响。

为解决上述技术问题，本发明提供的金属互连结构的制造方法包括如下步骤：

步骤一、提供一衬底，所述衬底上形成有需要通过金属互连结构引出的掺杂区，在所述衬底上生长或淀积一层介质层。

步骤二、采用光刻刻蚀工艺对选定区域的所述介质层进行刻蚀形成接触孔窗口，所述接触孔窗口曝露出其底部的所述衬底的掺杂区。

步骤三、淀积第一层金属薄膜；所述第一层金属薄膜填充所述接触孔窗口并延伸到所述接触孔窗口外部的所述介质层表面。

步骤四、采用光刻刻蚀工艺对选定区域的所述第一层金属薄膜进行刻蚀形成第一层金属互连窗口，所述第一层金属互连窗口的厚度大于所述接触孔窗口的深度，所述第一层金属互连窗口的底部金属完全填充所述接触孔窗口、所述第一层金属互连窗口的顶部金属的宽度大于所述接触孔窗口的宽度。

步骤五、淀积第二层金属薄膜；所述第二层金属薄膜将所述第一层金属互连窗口完全包裹并延伸到所述第一层金属互连窗口外部的所述介质层表面。

步骤六、采用光刻刻蚀工艺对选定区域的所述第二层金属薄膜进行刻蚀形成第二层金属互连窗口，所述第二层金属互连窗口的金属从所述第一层金属互连窗口的顶部和侧面将所述第一层金属互连窗口完全包裹，由所述第一层金属互连窗口和所述第二层金属互连窗口叠加形成金属互连结构，该金属互连结构用于将所述接触孔窗口底部的所述衬底的掺杂区引出。

进一步的改进是，步骤一中所述介质层为氧化物介质层，所述介质层的厚度为

进一步的改进是，所述氧化物介质层为不掺杂氧化层或硼磷硅玻璃。

进一步的改进是，所述第一层金属薄膜的材料为铝硅铜合金。

进一步的改进是，所述第二层金属薄膜的材料为铝硅铜合金。

6、如权利要求1或4或5所述金属互连结构的制造方法，其特征在于：步骤三淀积所述第一层金属薄膜之后还包括在所述第一层金属薄膜表面淀积一层氮化钛的步骤。

进一步的改进是，所述第一层金属薄膜的厚度为3微米～5微米。

进一步的改进是，所述第二层金属薄膜的厚度为3微米～5微米。

进一步的改进是，所述氮化钛的厚度为