[发明专利]基于LTCC的新型双模带通滤波器

摘要

本发明提供一种基于LTCC的新型双模带通滤波器，包括从上到下依次层叠的微带层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层、第三介质层、第三金属层，使用低损耗的LTCC材料构造具有高Q值的双模基片集成波导谐振腔，大大减小了滤波器尺寸的同时滤波器还具有插损小的优点，由于使用在高频段损耗小的LTCC材料，使得本发明的基于LTCC的新型双模带通滤波器能够运用于高频段的滤波。

主权项

一种基于LTCC的双模带通滤波器，其特征在于，包括从上到下依次层叠的微带层(1)、第一介质层(2)、第一金属层(3)、第二介质层(4)、第二金属层(5)、第三介质层(6)、第三金属层(7)；所述微带层(1)包括第一传输线主线(10)、第二传输主线(12)、耦合微带线(11)；所述第一介质层(2)包括第一介质基板(20)；所述第一金属层(3)包括第一金属板(30)、第一条形开口(31)、第二条形开口(32)、第三条形开口(33)、第四条形开口(34)；所述第一条形开口(31)、第二条形开口(32)、第三条形开口(33)、第四条形开口(34)位于第一金属板(30)上；所述第一条形开口(31)位于第一传输主线(10)的下方，且与第一传输主线(10)垂直；所述第四条形开口(34)位于第二传输主线(12)的下方，且与第二传输主线(12)垂直；所述第二条形开口(32)、第三条形开口(33)分别位于耦合微带线(11)的两端且分别与耦合微带线(11)垂直；所述第二介质层(4)包括第二介质基板(40)、第一金属化通孔阵列(41)、第二金属化通孔阵列(42)、第三金属化通孔阵列(43)、第一金属化通孔(44)、第二金属化通孔(45)、第三金属化通孔(46)、第四金属化通孔(47)；所述第一金属化通孔阵列(41)呈矩形阵列埋置于第二介质基板(40)中；所述第二金属化通孔阵列(42)呈矩形阵列埋置于第二介质基板(40)中且位于第一金属化通孔阵列(41)内部；所述第三金属化通孔阵列(43)呈直线排列埋置于第二介质基板(40)中，并且位于第二金属化通孔阵列(42)的中心，将第二金属化通孔阵列(42)分成两个对称的矩形；所述第一金属化通孔(44)、第二金属化通孔(45)、第三金属化通孔(46)和第四金属化通孔(47)分别位于由第二金属化通孔阵列(42)和第三金属化通孔阵列(43)围成的两个矩形的对角位置，且都位于第二金属化通孔阵列(42)内部；第二金属化通孔阵列(42)和第三金属化阵列(43)围成第一矩形和第二矩形；所述第一矩形包括第一对角线和第二对角线；所述第二矩形包括第三对角线和第四对角线；所述第一对角线与第三对角线平行；所述第二对角线与第四对角线平行；所述第一金属化通孔(44)、第二金属化通孔(45)位于第一矩形的第一对角线两端；所述第三金属化通孔(46)和第四金属化通孔(47)位于第二矩形的第三对角线两端；所述第二金属层(5)包括第二金属板(50)、第一矩形开口(51)、第二矩形开口(52)；所述第一矩形开口(51)、第二矩形开口(52)位于第二金属板(50)上，且与第三金属化通孔阵列(43)将第二金属化通孔阵列(42)分成的两个对称矩形相对应；所述第三介质层(6)包括第三介质板(60)、第四金属化通孔阵列(61)、第五金属化通孔阵列(62)、第六金属化通孔阵列(63)、第五金属化通孔(64)、第六金属化通孔(65)、第七金属化通孔(66)、第八金属化通孔(67)；所述第四金属化通孔阵列(61)呈矩形阵列埋置于第三介质基板(60)中；所述第五金属化通孔阵列(62)呈矩形阵列埋置于第三介质基板(60)中且位于第四金属化通孔阵列(61)内部；所述第六金属化通孔阵列(63)呈直线排列埋置于第三介质基板(60)中，并且位于第五金属化通孔阵列(62)的中心，将第五金属化通孔阵列(62)分成两个对称的矩形；所述第六金属化通孔阵列(63)将第五金属化通孔阵列(62)分成的两个对称矩形，分别与第一矩形开口(51)、第二矩形开口(52)相对应；所述第五金属化通孔(64)、第六金属化通孔(65)、第七金属化通孔(66)和第八金属化通孔(67)分别位于由第五金属化通孔阵列(62)和第六金属化阵列(63)围成的两个矩形的对角位置，且都位于第五金属化通孔阵列(62)内部；第五金属化通孔阵列(62)和第六金属化阵列(63)围成第三矩形和第四矩形；所述第三矩形包括第五对角线和第六对角线；所述第四矩形包括第七对角线和第八对角线；所述第五对角线与第七对角线平行；所述第六对角线与第八对角线平行；所述第五金属化通孔(64)、第六金属化通孔(65)位于第三矩形的第五对角线两端；所述第七金属化通孔(66)和第八金属化通孔(67)位于第四矩形的第七对角线两端；第五金属化通孔(64)与第一金属化通孔(44)位置对应，第六金属化通孔(65)与第二金属化通孔(45)位置对应；第七金属化通孔(66)与第三金属化通孔(46)位置对应；第八金属化通孔(67)与第四金属化通孔(47)位置对应；所述第三金属层(7)包括虚拟金属板(70)；所述第一金属板(30)、第二介质基板(40)、第一金属化通孔阵列(41)、第二金属化通孔阵列(42)、第三金属化通孔阵列(43)、第一金属化通孔(44)、第二金属化通孔(45)、第二金属板(50)、第一矩形开口(51)、第三介质层(60)、第四金属化通孔阵列(61)、第五金属化通孔阵列(62)、第五金属化通孔(64)、第六金属化通孔(65)和第六金属化通孔阵列(63)上下扣合后构成第一双模谐振腔；所述第一金属板(30)、第二介质基板(40)、第一金属化通孔阵列(41)、第二金属化通孔阵列(42)、第三金属化通孔阵列(43)、第三金属化通孔(46)、第四金属化通孔(47)、第二金属板(50)、第二矩形开口(52)、第三介质板(60)、第四金属化通孔阵列(61)、第五金属化通孔阵列(62)、第七金属化通孔(66)、第八金属化通孔(67)和第六金属化通孔阵列(63)上下扣合后构成第二双模谐振腔。