[发明专利]一种检测图形尺寸对离子阱形貌影响的方法有效
| 申请号： | 201410440456.X | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104201128B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及到集成电路制造技术领域，尤其涉及到一种检测图形尺寸对离子阱形貌影响的方法，通过设计一表面覆盖一光阻层且去除氧化隔离层的一半导体衬底，并观察形成位于NMOS晶体管和PMOS晶体管的各源极、漏极上的金属接触孔的亮暗程度，判断光阻层尺寸影响到离子阱的偏移从而对器件的性能造成影响；而且通过分析发生亮度异常变化的金属接触孔所对应光阻层的开口尺寸，可以确定光阻层的开口尺寸对产品性能的影响，并且通过进一步的分析可以确定离子阱间距对产品性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 图形 尺寸 离子 形貌 影响 方法 | ||
【主权项】：
一种检测图形尺寸对离子阱形貌影响的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、于一衬底分别掺杂P型离子和N型离子，形成多个不同尺寸离子阱组，各所述离子阱组均包括相邻的一P型离子阱和一N型离子阱；步骤S2、于所述P型离子阱上制作一NMOS晶体管，于所述N型离子阱上制作一PMOS晶体管；步骤S3、形成所述NMOS晶体管和PMOS晶体管各自包括的源极、漏极上的金属接触孔；步骤S4、观察各离子阱组中邻近PMOS晶体管的P型离子阱的源极或漏极与邻近NMOS晶体管的N型离子阱的源极或漏极上的金属接触孔的亮暗变化；其中，通过观察所述金属接触孔的亮暗变化，检测P型离子阱或N型离子阱的形貌变化对器件性能未造成负面影响的光阻层最小开口尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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