[发明专利]一种低电压单端读写SRAM存储单元及控制方法在审
| 申请号： | 201410439221.9 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104183269A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杨军;张钿钿;刘新宁;单伟伟 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于反馈环切断的低电压单端读写SRAM存储单元及控制方法，包括SRAM基本存储结构和读写分离式的单端电路结构；所述SRAM基本存储结构由交叉耦合反相器构成；所述读写分离式单端电路结构包括写支路和读支路，写支路上设置有交叉耦合反相器的正反馈环切断开关，且写支路所连接的写字线WWL上设置有写字线电压提升电路；读支路所连接的虚拟地线VGND上设置有虚拟地驱动电路。本发明具有读写操作分离，读写稳定性裕度高，宽电压域工作等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 读写 sram 存储 单元 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种低电压单端读写SRAM存储单元，其特征在于：包括SRAM基本存储结构和读写分离式的单端电路结构；所述SRAM基本存储结构由交叉耦合反相器构成；所述读写分离式单端电路结构包括写支路和读支路，写支路上设置有交叉耦合反相器的正反馈环切断开关，且写支路所连接的写字线WWL上设置有写字线电压提升电路；读支路所连接的虚拟地线VGND上设置有虚拟地驱动电路。
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