[发明专利]一种氮化铬稳定氧化锆的真空镀膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201410436747.1 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105369198A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 袁萍 | 申请（专利权）人： | 无锡慧明电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市锡山区锡山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮化铬稳定氧化锆的真空镀膜材料及其制备方法，该材料的原料mol％为：氧化锆75～98，氮化铬2～25，添加适量的聚乙烯醇结合剂。其制备方法包括以下步骤：①以氧化锆和氮化铬粉料为原料，按选定的摩尔百分比称量原料，混合均匀后添加聚乙烯醇结合剂使粉料团聚，造粒成型；②对颗粒料进行预烧，预烧温度为1200℃；③然后在真空烧结炉中烧结，然后自然冷却降温至室温。本发明氮化铬稳定氧化锆真空镀膜材料解决传统氧化锆镀膜材料镀膜过程中的不稳定和折射率不均匀性问题，提高氧化锆薄膜的损伤阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 稳定 氧化锆 真空镀膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化铬稳定氧化锆的真空镀膜材料，其特征在于该材料的成分为：原料mol％，氧化锆75～98，氮化铬2～25，聚乙烯醇结合剂适量。
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