[发明专利]一种氮化铬稳定氧化锆的真空镀膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201410436747.1 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105369198A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 袁萍 | 申请（专利权）人： | 无锡慧明电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市锡山区锡山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 稳定 氧化锆 真空镀膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化铬稳定氧化锆的真空镀膜材料，其特征在于该材料的成分为：原料mol％，氧化锆75～98， 氮化铬2～25，聚乙烯醇结合剂适量。
2.权利要求1所述的氮化铬稳定氧化锆的真空镀膜材料的制备方法，其特征在于该方法包括以下步 骤：
1)以氧化锆和氮化铬粉料为原料，按选定的摩尔百分比称量原料，混合均匀后添加聚乙烯醇结合剂使 粉料团聚，造粒成型；
2)对颗粒料进行预烧，预烧温度为1200℃；
3)然后在真空烧结炉中烧结，真空度为1×10-2～1×10-4Pa，升温速率为5～10℃/分钟，烧结温度为 1700～2200℃时，保温时间为120分钟以上，然后自然冷却降温至室温。
3.根据权利要求2所述的氮化铬稳定氧化锆的真空镀膜材料的制备方法，其特征在于所述的造粒成 型，其颗粒大小一般为1mm。
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