[发明专利]一种光刻方法有效
| 申请号： | 201410432069.1 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105446084B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻方法，涉及半导体技术领域。本发明的光刻方法包括：步骤S101：在待刻蚀膜层上依次形成正光刻胶层和表面光可分解碱性层；步骤S102：利用掩膜板对所述正光刻胶层进行曝光处理；步骤S103：使用有机溶剂进行负显影处理，溶解去除非曝光区域以形成图形化的光刻胶。该光刻方法通过在曝光工艺之前在正光刻胶层之上形成表面光可分解碱性层，可以避免经负显影处理形成的图形化的光刻胶出现T型顶部缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在待刻蚀膜层上依次形成正光刻胶层和表面光可分解碱性层；步骤S102：利用掩膜板对所述正光刻胶层进行曝光处理；步骤S103：进行负性显影处理以形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶的顶部宽度小于等于底部宽度。
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