[发明专利]一种光刻方法

权利要求书

1.一种光刻方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：在待刻蚀膜层上依次形成正光刻胶层和表面光可分解碱性层；

步骤S102：利用掩膜板对所述正光刻胶层进行曝光处理；

步骤S103：进行负性显影处理以形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶的顶部宽度小于等于底部宽度。

2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解碱性层包括在涂覆光刻胶时自生成的顶部光可分解碱层。

3.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解碱性层的表面具有顶部抗水涂层，其中所述顶部抗水涂层为单独涂覆法形成，或者在光刻胶涂覆时自生成。

4.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解碱性层中的光可分解碱包括氟化的单羧酸盐阳离子光可分解碱或氟化的二羧酸盐阳离子光可分解碱。

5.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解碱性层中的光可分解碱包括如下结构的化合物：

其中，Y为氟，M选自硫或碘，R选自氢、氢氧根、羧基、胺基、烷基、亚烷基、芳香基和亚芳香基；n为自然数，且n的取值范围为6-100；并且，当x等于2时，M为碘；当x等于3时，M为硫。

6.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解碱性层中的光可分解碱包括如下结构的化合物：

其中，Y为氟，M选自硫或碘，R选自氢、氢氧根、羧基、胺基、烷基、亚烷基、芳香基和亚芳香基；n为自然数，且n的取值范围为6-100；并且，当x等于2时，M为碘；当x等于3时，M为硫。

7.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解碱性层中的光可分解碱包括如下结构的化合物：

其中，Y为氟，Z选自氢、碳、氧、氮、磷、硫、卤素、氢氧根、烷基、亚烷基、芳香基和亚芳香基，M选自硫或碘，R选自氢、氢氧根、羧基、胺基、烷基、亚烷基、芳香基和亚芳香基；m和n为自然数，其取值范围为6-100；并且，当x等于2时，M为碘；当x等于3时，M为硫。

8.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，形成所述表面光可分解碱性层的方法包括涂覆法。

9.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在所述步骤S101中，形成所述正光刻胶层的方法为涂覆正光刻胶，其中所述正光刻胶包括光致产酸剂、光刻胶添加剂和溶剂。

10.如权利要求9所述的光刻方法，其特征在于，所述光致产酸剂包括鎓盐、芳香族重氮盐、锍盐、二芳基碘盐、十二烷硫酸盐和磺酸酯类中的至少一种。

11.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在所述步骤S101中，通过涂覆光刻胶的方法形成所述正光刻胶层和所述表面光可分解碱性层，其中所述光刻胶包括光分解碱、光致产酸剂、光刻胶添加剂和溶剂。

12.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在所述步骤S101中，在形成所述正光刻胶层之前，在所述待刻蚀膜层上形成底部抗反射层。