[发明专利]工艺腔室以及半导体加工设备

摘要

本发明提供的工艺腔室以及半导体加工设备，其包括反应舱、进气系统和晶片传输装置，其中，反应舱设置在工艺腔室内，用以对晶片进行工艺；进气系统用于向反应舱提供工艺气体；晶片传输装置用于将晶片传输至反应舱内，在反应舱内设置有衬环组件，衬环组件的结构被设置为在其与反应舱的内侧壁之间形成匀流腔，用以将来自进气系统的工艺气体通过所述匀流腔均匀地输送至反应舱内。本发明提供的工艺腔室，其可以提高工艺气体进入反应舱的速度、控制参与工艺过程的工艺气体的流量的准确度，以及工艺气体在反应舱内的分布均匀性。

主权项

一种工艺腔室，包括反应舱、进气系统和晶片传输装置，其中，所述反应舱设置在所述工艺腔室内，用以对晶片进行工艺；所述进气系统用于向所述反应舱提供工艺气体；所述晶片传输装置用于将晶片传输至所述反应舱内，其特征在于，在所述反应舱内设置有衬环组件，所述衬环组件的结构被设置为在其与所述反应舱的内侧壁之间形成匀流腔，用以将来自所述进气系统的工艺气体通过所述匀流腔均匀地输送至所述反应舱内；所述衬环组件包括上环体和下环体，所述上环体位于所述下环体的内侧；在所述上环体的外周壁上设置有上环形水平部，在所述下环体的外周壁上设置有下环形水平部，且在二者之间设置有环形竖直部，所述上环形水平部、下环形水平部、环形竖直部与所述反应舱的内侧壁形成所述匀流腔。