[发明专利]工艺腔室以及半导体加工设备

权利要求书

1.一种工艺腔室，包括反应舱、进气系统和晶片传输装置，其中，所述反应舱设置在所述工艺腔室内，用以对晶片进行工艺；所述进气系统用于向所述反应舱提供工艺气体；所述晶片传输装置用于将晶片传输至所述反应舱内，其特征在于，在所述反应舱内设置有衬环组件，所述衬环组件的结构被设置为在其与所述反应舱的内侧壁之间形成匀流腔，用以将来自所述进气系统的工艺气体通过所述匀流腔均匀地输送至所述反应舱内；

所述衬环组件包括上环体和下环体，所述上环体位于所述下环体的内侧；在所述上环体的外周壁上设置有上环形水平部，在所述下环体的外周壁上设置有下环形水平部，且在二者之间设置有环形竖直部，所述上环形水平部、下环形水平部、环形竖直部与所述反应舱的内侧壁形成所述匀流腔。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于所述上环体与所述下环体之间具有环形间隙，所述环形间隙与所述反应舱的内部连通；并且，在所述环形竖直部上均匀分布有多个径向通孔，所述径向通孔分别与所述匀流腔和所述环形间隙连通。

3.根据权利要求1或2所述的工艺腔室，其特征在于，所述反应舱的数量为一个。

4.根据权利要求1或2所述的工艺腔室，其特征在于，所述反应舱的数量为至少两个，且沿所述工艺腔室的周向均匀分布，每个反应舱内构成独立的工艺环境；

所述进气系统的数量与所述反应舱的数量相对应，且一一对应地向所述反应舱输送工艺气体。

5.根据权利要求1或2所述的工艺腔室，其特征在于，在所述反应舱的侧壁内形成有进气通道，所述进气通道的进气端与所述进气系统连接，所述进气通道的出气端设置在所述反应舱的内侧壁上，且与所述匀流腔连通。

6.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气通道的进气端位于所述反应舱的顶部。

7.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述径向通孔的直径的取值范围在0.5～2mm。

8.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述上环体、上环形水平部和环形竖直部采用一体成型的方式制作；所述下环体和所述下环形水平部采用一体成型的方式制作；或者，

所述上环体和上环形水平部采用一体成型的方式制作；所述下环体、所述下环形水平部和环形竖直部采用一体成型的方式制作。

9.一种半导体加工设备，包括：工艺腔室，用于对晶片进行加工；去气腔室，用于去除晶片上的水汽；预清洗腔室，用于去除晶片表面上的残余物；传输腔室，其分别与所述工艺腔室、所述去气腔室和所述预清洗腔室连接，且在其内部设置有机械手，用以将晶片分别传输至各个腔室内；其特征在于，所述工艺腔室采用权利要求1-8任意一项所述的工艺腔室。

10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，其特征在于，所述工艺腔室为多个。