[发明专利]一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法有效
| 申请号： | 201410430280.X | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104202010B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 高杨;何移;周斌;何婉婧;李君儒;蔡洵;黄振华 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 张新 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法，该声波谐振器包括硅衬底、牺牲层和压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从下往上依次包括支撑层、底电极、压电层、顶电极；压电薄膜换能器堆叠结构被释放窗口阵列贯穿，释放窗口阵列形成了释放通道；牺牲层中间设置有中空部分，该中空部分与下面的硅衬底和上面的支撑层形成空气腔；空气腔通过释放位于硅衬底正面的牺牲层形成，其释放通道由贯穿压电薄膜换能器堆叠结构的释放窗口阵列组成；根据该FBAR气隙的功能和结构特征，本发明制作方法有利于改进其可制造性，并且能够快速、干净的形成空腔，减小芯片尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镂空 空腔 薄膜 声波 谐振器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括硅衬底、牺牲层和压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从下往上依次包括支撑层、底电极、压电层、顶电极；所述压电薄膜换能器堆叠结构被释放窗口阵列贯穿，释放窗口阵列形成了释放通道；所述牺牲层中间设置有中空部分，该中空部分与下面的硅衬底和上面的支撑层形成空气腔。
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