[发明专利]一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法

权利要求书

1.一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括硅衬底、牺牲层和压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从下往上依次包括支撑层、底电极、压电层、顶电极；所述压电薄膜换能器堆叠结构被释放窗口阵列贯穿，释放窗口阵列形成了释放通道；所述牺牲层中间设置有中空部分，该中空部分与下面的硅衬底和上面的支撑层形成空气腔。

2.根据权利要求1所述的一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述空气腔是通过牺牲层的释放通道导入腐蚀液对牺牲层刻蚀形成的。

3.根据权利要求1所述的一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述压电层的释放窗口小于底电极的释放窗口，用于防止在工艺过程中顶电极和底电极短路。

4.根据权利要求1所述的一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述释放通道贯穿压电薄膜换能器堆叠结构，且位于薄膜体声波谐振器的正面。

5.根据权利要求1所述的一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述镂空空腔型薄膜体声波谐振器设计为正五边形。

6.根据权利要求1所述的一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述释放窗口形状为正方形。

7.制作权利要求1-6任意一项所述的镂空空腔型薄膜体声波谐振器的方法，其工艺步骤如下：

A.热氧化硅衬底形成牺牲层；

B.在牺牲层上生长带释放窗口阵列的支撑层；

C.在支撑层上生长带释放窗口阵列的底电极，支撑层的释放窗口阵列与步骤B中牺牲层的释放窗口阵列对应贯穿；

D.在底电极上生长带释放窗口阵列的压电层，底电极的释放窗口阵列与步骤C中支撑层的释放窗口阵列对应贯穿；

E.在压电层上生长带释放窗口阵列的顶电极，压电层的释放窗口阵列与步骤D中底电极的释放窗口阵列对应贯穿；

F.通过贯穿换能器堆叠结构的释放窗口阵列形成的腐蚀通道释放牺牲层，形成完整的空气腔。

8.根据权利要求7所述的镂空空腔型薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于：采用剥离法在图形化电极的同时形成释放窗口阵列。