[发明专利]一种氮化硅薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201410428625.8 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104152865A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 雷通;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅薄膜制备方法，在450℃以下的环境温度中，包括：步骤S01：用于以惰性气体为载气在载有晶圆的反应腔中通入氨基硅烷；步骤S02：利用惰性气体对晶圆表面进行吹扫；步骤S03：在所述反应腔中通入氮气等离子体对晶圆表面的氨基硅烷进行氮化；步骤S04：循环步骤S01-S03多次，以形成预定厚度的氮化硅薄层。本发明提供的氮化硅薄膜制备方法中，以氨基硅烷作为反应先驱物在低温条件下形成氮化硅薄膜，给出了低温条件下生成氮化硅薄膜的较佳参数范围以及优选参数，实现了低温条件下的氮化硅薄膜的制造，能够更好地满足需要氮化硅薄膜的场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅薄膜制备方法，其特征在于，在450℃以下的环境温度中，包括：步骤S01：以惰性气体为载气在载有晶圆的反应腔中通入氨基硅烷；步骤S02：利用惰性气体对晶圆表面进行吹扫；步骤S03：在所述反应腔中通入氮气等离子体对晶圆表面的氨基硅烷进行氮化；步骤S04：循环步骤S01‑S03多次，以形成预定厚度的氮化硅薄层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
