[发明专利]一种氮化硅薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201410428625.8 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104152865A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 雷通;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化硅薄膜制备方法，其特征在于，在450℃以下的环境温度中，包括：
步骤S01：以惰性气体为载气在载有晶圆的反应腔中通入氨基硅烷；
步骤S02：利用惰性气体对晶圆表面进行吹扫；
步骤S03：在所述反应腔中通入氮气等离子体对晶圆表面的氨基硅烷进行氮化；
步骤S04：循环步骤S01-S03多次，以形成预定厚度的氮化硅薄层。
2.如权利要求1所述的氮化硅薄膜制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
3.如权利要求1所述的氮化硅薄膜制备方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为
4.如权利要求1所述的氮化硅薄膜制备方法，其特征在于，所述氨基硅烷是气态2Nte。
5.如权利要求1所述的氮化硅薄膜制备方法，其特征在于，通入氩气的速率为5000sccm，反应持续时间为1S。
6.如权利要求1所述的氮化硅薄膜制备方法，其特征在于，通入氮气的速率为4000sccm，反应持续时间为1.5S。
7.如权利要求1所述的氮化硅薄膜制备方法，其特征在于，所述环境温度为400℃。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
