[发明专利]芯片级封装方法有效
| 申请号： | 201410426337.9 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104201118A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王自台 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种芯片级封装方法，包括步骤：烘烤形成保护层的晶圆，烘烤温度为120-150℃，烘烤时间为大于3小时；为烘烤后的晶圆形成凸点下金属层。经过烘烤，减少保护层中的水分，避免在形成凸点下金属层时沉积成金属氧化物或碳化物，能够减少界面电阻，提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片级封装方法，其特征在于，包括步骤：烘烤形成保护层的晶圆，烘烤温度为120‑150℃，烘烤时间为大于3小时；为烘烤后的晶圆形成凸点下金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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