[发明专利]芯片级封装方法有效
| 申请号： | 201410426337.9 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104201118A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王自台 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片级 封装 方法 | ||
1.一种芯片级封装方法，其特征在于，包括步骤：
烘烤形成保护层的晶圆，烘烤温度为120-150℃，烘烤时间为大于3小时；
为烘烤后的晶圆形成凸点下金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
在形成所述保护层时，将保护层材料覆盖所述晶圆，然后依次对所述保护层材料进行曝光、显影、固化和灰化处理，以形成所述保护层，并使所述保护层具有开口，所述开口用于形成所述凸点下金属层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述保护层材料为聚酰亚胺或聚对苯撑苯并二恶唑。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，
所述凸点下金属层从上到下依次为电镀层和溅射层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
先形成所述溅射层，其步骤是：
将烘烤后的所述晶圆放入溅射蚀刻腔，去除氧化层，并且，在此过程中保持所述晶圆温度小于120℃；
将所述晶圆放入金属溅射腔，溅射形成所述溅射层，并且，在此过程中；其中保持所述晶圆温度小于120℃。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
在所述溅射蚀刻腔去除氧化层的过程，以及在所述金属溅射腔溅射凸点下金属层的过程中，所述晶圆的温度为95-105℃。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，
在所述溅射层上电镀形成所述电镀层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
在所述电镀层上形成焊球。
9.根据权利要求4所述的芯片级封装方法，其特征在于，
所述溅射层为钛铜；
所述电镀层为铜、镍或锡银中的任意一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
