[发明专利]半导体工艺涨缩值的测试方法及装置

摘要

本发明实施例提供一种半导体工艺涨缩值的测试方法及装置。该方法包括：获取方块电阻的阻值、接触孔电阻的阻值和条形电阻两端电压与电流比值；依据所述方块电阻的阻值、所述接触孔电阻的阻值、所述条形电阻的设计宽度、所述条形电阻的设计长度，以及所述条形电阻两端电压与电流比值获得所述条形电阻的宽度的工艺涨缩值。本发明实施例通过测试获得方块电阻的阻值、接触孔电阻的阻值和条形电阻两端电压与电流比值，同时通过条形电阻的设计宽度和条形电阻的设计长度，依据电路原理计算获得条形电阻的宽度的工艺涨缩值，即采用电参数测试方法，不需要破坏性测试，便可准确计算出半导体工艺流程中各层图形复制工艺的涨缩值。

主权项

1.一种半导体工艺涨缩值的测试方法，其特征在于，包括：获取方块电阻的阻值、接触孔电阻的阻值和条形电阻两端电压与电流比值，所述方块电阻、所述接触孔电阻与所述条形电阻在晶圆的同一图层中；依据所述方块电阻的阻值、所述接触孔电阻的阻值、所述条形电阻的设计宽度、所述条形电阻的设计长度，以及所述条形电阻两端电压与电流比值获得所述条形电阻的宽度的工艺涨缩值；所述依据所述方块电阻的阻值、所述接触孔电阻的阻值、所述条形电阻的设计宽度、所述条形电阻的设计长度，以及所述条形电阻两端电压与电流比值获得所述条形电阻的宽度的工艺涨缩值包括：依据物理电路原理计算所述条形电阻的宽度的工艺涨缩值D，其中，L表示所述条形电阻的设计长度，W表示所述条形电阻的设计宽度,表示所述方块电阻的阻值，表示所述接触孔电阻的阻值，表示所述条形电阻两端电压与电流比值。