[发明专利]三维金属光栅的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410421763.3 申请日: 2014-08-25
公开(公告)号: CN105372735B 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 曾春红;付凯;李晓伟;林文魁;陆增天;张宝顺 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰,武岑飞
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种三维金属光栅的制作方法,包括步骤在外延片上形成间隔排列的多个挡体;在所述挡体之间形成三维金属结构;将所述挡体剥离去除,以在所述外延片上形成三维金属光栅。本发明利用表面等离子体激元将能量束缚在金属表面,在近场范围内可以增强平行于量子阱材料生长方向上的电场强度,并采用热蒸发的原理来制备三维金属光栅,从而提高多量子阱对光的耦合效率,提高红外探测器的探测灵敏度,进而促进红外探测器系统向小型化、便携式和高灵敏兼具的目标发展。
搜索关键词: 三维 金属 光栅 制作方法
【主权项】:
一种三维金属光栅的制作方法,其特征在于,包括步骤:在外延片上形成间隔排列的多个挡体;在所述挡体之间形成三维金属结构;将所述挡体剥离去除,以在所述外延片上形成三维金属光栅;所述“在外延片上形成间隔排列的多个挡体”具体包括步骤:在外延片上涂覆第一光刻胶层;在所述第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层;对所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层进行曝光、显影,以形成间隔排列的多个挡体;其中,所述挡体包括未被曝光、显影的第二光刻胶层的部分及未被曝光、显影的第一光刻胶层的部分。
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