[发明专利]一种LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410419850.5 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN105448988A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 金宏峰;李许超 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件及其制作方法，所述器件包括：半导体衬底；体区和漂移区，其形成于所述半导体衬底的表面处且彼此间隔开，其中所述体区和所述漂移区分别具有第一导电类型和第二导电类型；较薄的场氧化层，其形成于所述漂移区上方，其中所述较薄的场氧化层的厚度范围为1000～3000埃；源区和漏区，其位于所述较薄的场氧化层的两侧并分别形成于所述体区和所述漂移区内；以及体区引出区，其形成在所述体区内且与所述源区间隔开；栅极，其位于所述体区和所述漂移区之间的所述半导体衬底上且覆盖所述体区和所述较薄的场氧化层的一部分。根据本发明的LDMOS器件，增强了多晶硅场板的RESURF作用，大幅提高器件的HCI(热载流子)寿命，进而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，包括：半导体衬底；体区和漂移区，其形成于所述半导体衬底的表面处且彼此间隔开，其中所述体区和所述漂移区分别具有第一导电类型和第二导电类型；较薄的场氧化层，其形成于所述漂移区上方，其中所述较薄的场氧化层的厚度范围为1000～3000埃；源区和漏区，其位于所述较薄的场氧化层的两侧并分别形成于所述体区和所述漂移区内；以及体区引出区，其形成在所述体区内且与所述源区间隔开；栅极，其位于所述体区和所述漂移区之间的所述半导体衬底上且覆盖所述体区和所述较薄的场氧化层的一部分。
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