[发明专利]一种LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410419850.5 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN105448988A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 金宏峰;李许超 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种LDMOS器件，包括：
半导体衬底；
体区和漂移区，其形成于所述半导体衬底的表面处且彼此间隔开，其中所述体区和所述漂移区分别具有第一导电类型和第二导电类型；
较薄的场氧化层，其形成于所述漂移区上方，其中所述较薄的场氧化层的厚度范围为1000～3000埃；
源区和漏区，其位于所述较薄的场氧化层的两侧并分别形成于所述体区和所述漂移区内；以及
体区引出区，其形成在所述体区内且与所述源区间隔开；
栅极，其位于所述体区和所述漂移区之间的所述半导体衬底上且覆盖所述体区和所述较薄的场氧化层的一部分。
2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括环绕所述体区和漂移区的深阱区，所述深阱区具有所述第一导电类型。
4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件为HVLDMOS器件。
5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述半导体衬底包括硅基底、形成在所述硅基底表面处的掩埋层以及形成在所述掩埋层之上的外延层。
6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极下方还形成有栅介电层，其中所述栅介电层位于所述源区和所述较薄的场氧化层之间。
7.一种如权利要求1所述LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括形成较薄的场氧化层的步骤，其中所述较薄的场氧化层的厚度范围为1000～3000埃。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，采用LOCOS工艺构图氧化形成所述场氧化层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410419850.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
