[发明专利]高压LED芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201410414612.5 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104134724A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吴飞翔;李庆;晏平;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压LED芯片及其制备方法，高压LED芯片包括衬底、位于衬底上的GaN外延层、及位于外延层上的透明导电层、P电极及N电极，所述GaN外延层包括P型GaN外延层、发光层、及N型GaN外延层，P电极位于透明导电层上且通过透明导电层与P型GaN外延层电性连接，N型GaN外延层上设有N型半导体台面，N电极位于N型半导体台面上，所述GaN外延层之间通过离子注入形成有一个或多个绝缘的离子注入区，离子注入区上方形成有金线，所述GaN外延层和透明导电层通过金线电性导通。本发明不存在刻蚀不净造成的正向电压低的问题，同时能够有效减少桥接处的断金导致的芯片不良，且本发明LED芯片出光面积大，发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高压LED芯片，其包括衬底、位于衬底上的GaN外延层、及位于外延层上的透明导电层、P电极及N电极，所述GaN外延层包括P型GaN外延层、发光层、及N型GaN外延层，P电极位于透明导电层上且通过透明导电层与P型GaN外延层电性连接，N型GaN外延层上设有N型半导体台面，N电极位于N型半导体台面上，其特征在于，所述GaN外延层之间通过离子注入形成有一个或多个绝缘的离子注入区，离子注入区上方形成有金线，所述GaN外延层和透明导电层通过金线电性导通。
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