[发明专利]高压LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种高压LED芯片，其包括衬底、位于衬底上的GaN外延层、及位于外延层上的透明导电层、P电极及N电极，所述GaN外延层包括P型GaN外延层、发光层、及N型GaN外延层，P电极位于透明导电层上且通过透明导电层与P型GaN外延层电性连接，N型GaN外延层上设有N型半导体台面，N电极位于N型半导体台面上，其特征在于，所述GaN外延层之间通过离子注入形成有一个或多个绝缘的离子注入区，离子注入区上方形成有金线，所述GaN外延层和透明导电层通过金线电性导通。

2.根据权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述离子注入区设置为一个，离子注入区将GaN外延层分隔成第一GaN外延层和第二GaN外延层。

3.根据权利要求2所述的高压LED芯片，其特征在于，所述第一GaN外延层和第二GaN外延层上分别设置有第一透明导电层和第二透明导电层，第一透明导电层上设置有P电极，第二透明导电层旁侧的N型半导体台面上设置有N电极。

4.根据权利要求3所述的高压LED芯片，其特征在于，所述第一透明导电层与第二透明导电层旁侧的N型半导体台面通过金线电性导通。

5.根据权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述透明导电层下方还设置有电流阻挡层。

6.一种如权利要求1所述的高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、提供一衬底，在衬底上生长GaN外延层，GaN外延层包括P型GaN外延层、发光层、及N型GaN外延层；

S2、在GaN外延层形成Mesa图形，将Mesa图形外的区域刻蚀至N型GaN外延层，形成N型半导体台面；

S3、通过掩膜版对GaN外延层进行离子注入，形成一个或多个绝缘的离子注入区；

S4、在GaN外延层上形成透明导电层；

S5、在透明导电层上形成P电极，在N型半导体台面上形成N电极；

S6、在离子注入区上方形成金线，GaN外延层和透明导电层通过金线电性导通。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中掩膜版为SiO₂或SiNx掩膜版，离子注入的离子为Si或B离子。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S5之前还包括：

采用PECVD进行SiO₂沉积，再通过光刻、刻蚀得到电流阻挡层。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述S4具体为：

采用电子束蒸发或磁控溅射沉积ITO薄膜，再通过光刻、刻蚀得到透明导电层。