[发明专利]OLED发光器件及其制备方法在审
| 申请号: | 201410409398.4 | 申请日: | 2014-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN104157793A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
| 发明(设计)人: | 何志江;黄初旺;祝文秀;张琨 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 苏捷;向勇 |
| 地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种OLED发光器件及其制备方法。该OLED发光器件包括:第一电极;形成于第一电极上的有机功能层;形成于所述有机功能层上的第二电极;形成于所述第二电极上的光程调整层,用于调整所述OLED发光器件的光学长度;以及,形成于所述光程调整层上的半反半透层,用于调整从所述光程调整层出射的光反射时产生的相位差。本发明可降低器件的调整难度,提高生产良率以及降低成本。而且,器件中电光转换部分的厚度比现有技术中结构的厚度小很多,这样整个器件的驱动电压会变得更小,进而在降低功耗的同时提高器件的电光转换效率,增加器件的使用寿命。此外,通过本发明所提供的OLED发光器件对于色偏也有所改善。 | ||
| 搜索关键词: | oled 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种OLED发光器件,其特征在于,包括:第一电极;形成于第一电极上的有机功能层;形成于所述有机功能层上的第二电极;形成于所述第二电极上的光程调整层,用于调整所述OLED发光器件的光学长度;以及,形成于所述光程调整层上的半反半透层。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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