[发明专利]OLED发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410409398.4 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104157793A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 何志江;黄初旺;祝文秀;张琨 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 苏捷;向勇 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED发光器件，其特征在于，包括：
第一电极；
形成于第一电极上的有机功能层；
形成于所述有机功能层上的第二电极；
形成于所述第二电极上的光程调整层，用于调整所述OLED发光器件的光学长度；以及，
形成于所述光程调整层上的半反半透层。
2.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述光程调整层的材质为基于芳胺的有机材料。
3.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述半反半透层的材质为金属银。
4.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述半反半透层以及光程调整层的面积均小于所述第二电极的面积。
5.根据权利要求3所述的OLED发光器件，其特征在于，所述半反半透层以及光程调整层的面积均小于所述第二电极的面积。
6.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，还包括：
形成于所述半反半透层之上的光取出层。
7.一种OLED发光器件制备方法，其特征在于，包括：
于一基板上形成第一电极；
于所述第一电极上形成有机功能层；
于所述有机功能层上形成第二电极；
于所述第二电极上形成光程调整层；所述光程调整层用于调整所述OLED发光器件的光学长度；以及，
于所述光程调整层上形成半反半透层，所述半反半透层用于调整从所述光程调整层出射的光反射时产生的相位差。
8.根据权利要求7所述的OLED发光器件制备方法，其特征在于，形成所述光程调整层的材质为基于芳胺的有机材料。
9.根据权利要求7所述的OLED发光器件制备方法，其特征在于，形成所述半反半透层的材质为金属银。
10.根据权利要求7所述的OLED发光器件制备方法，其特征在于，所述半反半透层以及光程调整层的面积均小于所述第二电极的面积。
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