[发明专利]一种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法在审

专利信息
申请号: 201410407221.0 申请日: 2014-08-18
公开(公告)号: CN104317171A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 董启明;张敬钧 申请(专利权)人: 北京中讯四方科技股份有限公司
主分类号: G03F7/38 分类号: G03F7/38
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;郑哲
地址: 100194 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法,属于声表面波器件技术领域,所述方法包括:将烘箱的温度稳定在160摄氏度,晶片将晶片放入所述烘箱中烘烤;烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至155摄氏度,再烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至150摄氏度,恒温保持1小时;将所述烘箱的温度降至120摄氏度,温度恒定10分钟后取出所述晶片。本发明通过将晶片的烘烤温度控制在150摄氏度至160摄氏度,使光刻胶达到流变状态,达到最大限度的保护线条作用,减缓侧向腐蚀的速度,实现厚膜细线条的目的,从而降低干刻或剥离的工艺复杂度,同时也降低了工艺成本。
搜索关键词: 一种 表面波 器件 光刻 过程 中的 方法
【主权项】:
一种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法,其特征在于,包括:将烘箱的温度稳定在160摄氏度,晶片将晶片放入所述烘箱中烘烤;烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至155摄氏度,再烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至150摄氏度,恒温保持1小时;将所述烘箱的温度降至120摄氏度,温度恒定10分钟后取出所述晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中讯四方科技股份有限公司,未经北京中讯四方科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410407221.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top