[发明专利]一种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法，属于声表面波器件技术领域。 

背景技术

目前，传统的声表面波器件的工艺有三种，一是湿法工艺，二是干刻工艺，三是剥离工艺。湿法工艺成本较低，但主要用于宽线条产品。当用于细线条产品时，由于侧向腐蚀较为严重，工艺很难实现，必须采用干刻或剥离工艺，造成成本很大。 

发明内容

本发明提供了一种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法，以解决现有的湿法工艺存在的当用于细线条产品时侧向腐蚀较严重，增加干刻或剥离后工艺较复杂、成本较高的问题，为此本发明采用如下的技术方案： 

一种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法，包括： 

将烘箱的温度稳定在160摄氏度，晶片将晶片放入所述烘箱中烘烤； 

烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至155摄氏度，再烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至150摄氏度，恒温保持1小时； 

将所述烘箱的温度降至120摄氏度，温度恒定10分钟后取出所述晶片。 

本发明实施方式提供的技术方案通过将晶片的烘烤温度控制在150摄氏度至160摄氏度，使光刻胶达到流变状态，达到最大限度的保护线条作用，减缓侧向腐蚀的速度，实现厚膜细线条的目的，从而降低干刻或剥离的工艺复杂度，同时也降低了工艺成本。 

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。 

本具体实施方式提供了一种声表面波器件在光刻过程中的前烘方法，包括： 

将烘箱的温度稳定在160摄氏度，晶片将晶片放入所述烘箱中烘烤； 

烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至155摄氏度，再烘烤10分钟之后将所述烘箱的温度降至150摄氏度，恒温保持1小时； 

将所述烘箱的温度降至120摄氏度，温度恒定10分钟后取出所述晶片。 

取出的晶片自然降至室温后，即可开始进行腐蚀。 

采用本具体实施方式提供的技术方案，通过将晶片的烘烤温度控制在150摄氏度至160摄氏度，使光刻胶达到流变状态，达到最大限度的保护线条作用，减缓侧向腐蚀的速度，实现厚膜细线条的目的，从而降低干刻或剥离的工艺复杂度，同时也降低了工艺成本。 

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明实施例揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。