[发明专利]一种耗尽型VDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410404340.0 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN105336785B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耗尽型VDMOS器件及其制作方法，通过在第一导电类型外延层上生成第二导电类型体区后，在所述第一导电类型外延层上生成第一氧化层；在所述第一氧化层上光刻出用于刻蚀沟槽的掩膜图形，并根据该掩膜图形对所述第一氧化层进行刻蚀；将未被刻蚀的第一氧化层作为掩膜刻蚀倾斜沟槽；对所述倾斜沟槽的内部侧壁进行离子掺杂，生成第一导电类型掺杂沟道区，简化了掺杂沟道区的制备工艺，制作成的沟槽耗尽型VDMOS器件，能够在低压场合下应用，解决了现有技术中存在的大多平面型耗尽MOS管并不适合在低压场合下应用的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耗尽 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种耗尽型垂直双扩散场效应晶体管VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一导电类型外延层上生成第二导电类型体区后，在所述第一导电类型外延层上生成第一氧化层；在所述第一氧化层上光刻出用于刻蚀沟槽的掩膜图形，并根据该掩膜图形对所述第一氧化层进行刻蚀；将未被刻蚀的第一氧化层作为掩膜刻蚀倾斜沟槽；对所述倾斜沟槽的内部侧壁进行离子掺杂，生成第一导电类型掺杂沟道区；去除所述第一氧化层，依次制作栅氧化层、多晶硅层，将所述多晶硅层刻蚀后制作第一导电类型源区；在所述栅氧化层和多晶硅层的表面生成介质层，制作接触孔和金属层；其中，所述将未被刻蚀的第一氧化层作为掩膜刻蚀倾斜沟槽，具体包括：在所述未被刻蚀的第一氧化层的掩膜下，在所述第一导电类型外延层上刻蚀出沟槽侧壁均与水平夹角呈70°至80°的沟槽；采用零角度注入的方式对所述倾斜沟槽的内部侧壁进行离子掺杂，生成第一导电类型掺杂沟道区。
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