[发明专利]一种耗尽型VDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种耗尽型垂直双扩散场效应晶体管VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

在第一导电类型外延层上生成第二导电类型体区后，在所述第一导电类型外延层上生成第一氧化层；

在所述第一氧化层上光刻出用于刻蚀沟槽的掩膜图形，并根据该掩膜图形对所述第一氧化层进行刻蚀；

将未被刻蚀的第一氧化层作为掩膜刻蚀倾斜沟槽；

对所述倾斜沟槽的内部侧壁进行离子掺杂，生成第一导电类型掺杂沟道区；

去除所述第一氧化层，依次制作栅氧化层、多晶硅层，将所述多晶硅层刻蚀后制作第一导电类型源区；

在所述栅氧化层和多晶硅层的表面生成介质层，制作接触孔和金属层；

其中，所述将未被刻蚀的第一氧化层作为掩膜刻蚀倾斜沟槽，具体包括：

在所述未被刻蚀的第一氧化层的掩膜下，在所述第一导电类型外延层上刻蚀出沟槽侧壁均与水平夹角呈70°至80°的沟槽；

采用零角度注入的方式对所述倾斜沟槽的内部侧壁进行离子掺杂，生成第一导电类型掺杂沟道区。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述倾斜沟槽的内部侧壁进行离子掺杂生成第一导电类型掺杂沟道区时，进行掺杂的离子为磷离子、砷离子或硼离子。

3.如权利要求1-2任一所述的方法，其特征在于，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

4.一种耗尽型垂直双扩散场效应晶体管VDMOS器件，其特征在于，包括：在第一导电类型外延层上生成的第二导电类型体区和第一导电类型源区，在所述第一导电类型外延层上制作的栅氧化层、多晶硅层，在所述栅氧化层和多晶硅层的表面生成的介质层，以及接触孔和金属层，

还包括：倾斜沟槽，以及对所述倾斜沟槽的内部侧壁进行离子掺杂而生成的第一导电类型掺杂沟道区，所述倾斜沟槽为沟槽侧壁均与水平夹角呈70°至80°的沟槽；

其中，所述倾斜沟槽是在所述第一导电类型外延层上生成第一氧化层后，在所述第一氧化层上光刻出用于刻蚀沟槽的掩膜图形，并根据该掩膜图形对所述第一氧化层进行刻蚀后，将未被刻蚀的第一氧化层作为掩膜刻蚀而成的沟槽；所述栅氧化层是去除所述第一氧化层后在所述第一导电类型外延层上生成的；所述第一导电类型源区是在所述多晶硅层生成之后制作成的；

所述第一导电类型掺杂沟道是采用零角度注入的方式对所述倾斜沟槽的内部侧壁进行离子掺杂而形成的。

5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述第一导电类型掺杂沟道区中所掺杂的离子为磷离子、砷离子或硼离子。

6.如权利要求4-5任一所述的器件，其特征在于，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。