[发明专利]太阳能电池制备方法及太阳能电池在审
| 申请号： | 201410403111.7 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104157736A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 和江变;郭凯华;郭永强;倪明镜;段敏;李健 | 申请（专利权）人： | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司;内蒙古大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 阚梓瑄;路兆强 |
| 地址： | 010111 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池制备方法及太阳能电池。该太阳能电池制备方法包括扩散工艺，所述扩散工艺包括：S1.对预处理后的硅片进行第一次磷扩散，在其上形成N型区以及太阳能电池的PN结结构；S2.对经第一次扩散后的硅片进行第二次磷扩散，增加所述N型区表层的磷浓度。所述扩散工艺之后还包括：在680-720℃温度下，进行1680-1800秒的热处理工艺。本发明至少解决了现有技术中由于物理冶金法提纯得到的多晶硅原始片电阻率较低，而与PN结扩散条件不匹配，造成的开路电压、短路电流和转换效率低的技术问题；同时也较好的解决了电池表面浓度与金属-半导体接触的匹配问题，即提升了欧姆接触的整体性能，降低了电池串联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池制备方法，包括扩散工艺；其特征在于，所述扩散工艺包括：S1.对预处理后的硅片进行第一次磷扩散，在其上形成N型区以及太阳能电池的PN结结构；S2.对经第一次扩散后的硅片进行第二次磷扩散，增加所述N型区表层的磷浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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