[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410401104.3 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105448650A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟;刘国安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆和中间晶圆，所述底部晶圆和所述中间晶圆接合为一体，其中，所述中间晶圆的尺寸小于所述底部晶圆的尺寸，以露出所述底部晶圆的边缘；步骤S2：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆背面的边缘区域形成有防裂环；步骤S3：将所述顶部晶圆的正面和所述中间晶圆接合为一体。本发明的优点在于：(1)能够避免晶圆边缘发生碎裂产生的损失，提高了器件的良率。(2)降低了晶圆目检查的失败率(Fail Rate)，提高了生产的产量，增加了产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆和中间晶圆，所述底部晶圆和所述中间晶圆接合为一体，其中，所述中间晶圆的尺寸小于所述底部晶圆的尺寸，以露出所述底部晶圆的边缘；步骤S2：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆背面的边缘区域形成有防裂环；步骤S3：将所述顶部晶圆的正面和所述中间晶圆接合为一体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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