[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410401104.3 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105448650A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟;刘国安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供底部晶圆和中间晶圆，所述底部晶圆和所述中间晶圆接合为一体，其中，所述中间晶圆的尺寸小于所述底部晶圆的尺寸，以露出所述底部晶圆的边缘；
步骤S2：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆背面的边缘区域形成有防裂环；
步骤S3：将所述顶部晶圆的正面和所述中间晶圆接合为一体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述防裂环呈环形凹槽。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述环形凹槽的深度为200-400um。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S21：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆的背面上形成有具有防裂环图案的掩膜层；
步骤S22：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述顶部晶圆，以在所述顶部晶圆背面形成所述防裂环；
步骤S23：去除所述掩膜层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S23之后，所述步骤S2还包括：
步骤S24：将所述顶部晶圆反转；
步骤S25：图案化所述顶部晶圆的正面，以在所述顶部晶圆的正面形成元器件图案；
步骤S26：再次反转所述顶部晶圆。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S22中，选用深反应离子蚀刻的方法蚀刻所述顶部晶圆背面。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11：提供所述底部晶圆和中间晶圆，并将所述底部晶圆和所述中间晶圆接合为一体；
步骤S12：修剪所述中间晶圆，以去除所述中间晶圆的的边缘，露出所述底部晶圆的边缘；
步骤S13：研磨打薄所述中间晶圆。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S11中，通过熔合键合的方法将所述底部晶圆和所述中间晶圆接合为一体。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3之后，所述方法还进一步包括对所述顶部晶圆的背面进行研磨的步骤。
10.一种基于权利要求1至9之一所述的方法制备得到的半导体器件。
11.一种电子装置，包括权利要求10所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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