[发明专利]铜铟镓硒与钼的欧姆接触的方法及太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了铜铟镓硒与钼的欧姆接触的方法及太阳能电池的制备方法。本发明采用在Mo薄膜上形成CIGS薄膜之后，在二者之间施加电源电压，扫描组件在CIGS薄膜的表面进行二维扫描，将Mo薄膜和CIGS薄膜之间的接触势垒击穿，降低了薄膜太阳能电池的内阻，为提高薄膜太阳能电池的效率创造了条件。本发明通过施加电压的方式，可以减少在Mo薄膜表面的额外处理，减少了流程，从而避免了额外工艺带来的不可控性，并且实现方法非常简单，为后续的产业化发展节约投入。

主权项

一种改变铜铟镓硒与钼的欧姆接触的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1)在衬底上制备Mo薄膜；2)在Mo薄膜上制备CIGS薄膜；3)提供两根电极线，第一电极线的一端连接至电源的一个极性上，另一端连接至Mo薄膜，第二电极线的一端连接至电源的与连接第一电极线相反的极性上，另一端安装扫描组件，扫描组件放置在CIGS薄膜上；4)开启电源，调节电源电压，测试CIGS薄膜和Mo薄膜的电流I‑电压V曲线，如果满足直线，则以此时施加的电压作为扫描电压，若I‑V曲线不满足直线，则增加电源电压的值，再测试I‑V曲线，直至I‑V曲线满足直线为止，则以此时施加的电压作为扫描电压；5)按照步骤4)得到的扫描电压设定电源电压，扫描组件在CIGS薄膜的表面上进行扫描，直至扫描组件依次将CIGS薄膜的表面全部扫描完，实现Mo薄膜与CIGS薄膜之间的欧姆接触。