[发明专利]铜铟镓硒与钼的欧姆接触的方法及太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201410396445.6 | 申请日: | 2014-08-13 |
公开(公告)号: | CN104134708A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 焦飞;赵夔;陆真冀 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 欧姆 接触 方法 太阳能电池 制备 | ||
1.一种改变铜铟镓硒与钼的欧姆接触的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
1)在衬底上制备Mo薄膜;
2)在Mo薄膜上制备CIGS薄膜;
3)提供两根电极线,第一电极线的一端连接至电源的一个极性上,另一端连接至Mo薄膜,第二电极线的一端连接至电源的与连接第一电极线相反的极性上,另一端安装扫描组件,扫描组件放置在CIGS薄膜上;
4)开启电源,调节电源电压,测试CIGS薄膜和Mo薄膜的电流I-电压V曲线,如果满足直线,则以此时施加的电压作为扫描电压,若I-V曲线不满足直线,则增加电源电压的值,再测试I-V曲线,直至I-V曲线满足直线为止,则以此时施加的电压作为扫描电压;
5)按照步骤4)得到的扫描电压设定电源电压,扫描组件在CIGS薄膜的表面上进行扫描,直至扫描组件依次将CIGS薄膜的表面全部扫描完,实现Mo薄膜与CIGS薄膜之间的欧姆接触。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤3)中,所述扫描组件包括电极连接部件和在其表面的薄膜接触部件,电极连接部件连接至第二电极线的一端,薄膜接触部件与CIGS薄膜相接触。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述扫描组件采用扫描滑块,扫描滑块包括块状的与第二电极线相连接的电极连接部件和在其下表面的薄膜接触部件。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述扫描组件采用扫描滚轮,扫描滚轮包括电极连接部件、薄膜连接部件和电刷片;电极连接部件的形状为圆柱体,薄膜接触部件包裹在其表面,在电极连接部件上安装绝缘的操作杆,通过控制操作杆使得扫描滚轮在CIGS薄膜的表面滚动扫描,第二电极线的一端固定在操作杆上,电刷片的一端与固定在操作杆上的第二电极线的一端相连接,另一端的表面接触薄膜接触部件的表面,实现薄膜接触部件的导电。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述扫描组件的宽度不超过5mm。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述电极连接部件采用导电性好的金属材料;所述薄膜接触部件采用均匀柔性的导电材料。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤4)中,施加的电源电压在10~50V之间。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,以1V为间隔电压,增加电源电压。
9.一种改变铜铟镓硒与钼的欧姆接触的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
1)在玻璃或者柔性衬底上通过溅射方法制备Mo薄膜;
2)通过溅射后硒化法或者三步共蒸发方法在Mo薄膜上制备CIGS薄膜;
3)提供两根电极线,第一电极线的一端连接至电源的一个极性上,另一端连接至Mo薄膜,第二电极线的一端连接至电源的与连接第一电极线相反的极性上,另一端安装扫描组件,扫描组件放置在CIGS薄膜上;
4)开启电源,调节电源电压,测试CIGS薄膜和Mo薄膜的电流I-电压V曲线,如果满足直线,则以此时施加的电压作为扫描电压,若I-V曲线不满足直线,则增加电源电压的值,再测试I-V曲线,直至I-V曲线满足直线为止,则以此时施加的电压作为扫描电压;
5)按照步骤4)得到的扫描电压设定电源电压,扫描组件在CIGS薄膜的表面上进行扫描,直至扫描组件依次扫描过CIGS薄膜的表面,实现了Mo薄膜与CIGS薄膜之间的欧姆接触;
6)在CIGS薄膜上依次形成硫化镉CdS薄膜,氧化锌ZnO薄膜,氧化锌铝ZnOAl薄膜以及表面电极,完成薄膜太阳能电池的制备。
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