[发明专利]活体传感器在审
申请号: | 201410392402.0 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN104157665A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 秋山政彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L27/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及活体传感器。根据一个实施方式,光电转换装置包含:具有不透明互连层(107、108)的基板(100);形成于基板(100)上并具有多个开孔的绝缘薄膜(106);由开孔形成的发光元件(200),所述每一个发光元件(200)具有由半导体材料形成的发光层和上电极层(207);由开孔形成的光接收元件(300),所述每一个光接收元件具有由半导体材料形成的光接收层和上电极层(307);其中,所述发光元件(200)和光接收元件(300)中的半导体材料不同,发光元件(200)和光接收元件(300)的上电极层(207、307)形成了共用电极,且每一个互连层(107、108)形成于由开孔指定的区域外部的区域上。 | ||
搜索关键词: | 活体 传感器 | ||
【主权项】:
一种用于获取活体中信息的活体传感器,包括:发光元件,该发光元件分别形成在基板上的多个像素区域的一些中;光接收元件,该光接收元件分别形成在所述多个像素区域的一些剩余的像素中;用于驱动所述发光元件的发光元件有源矩阵层,该发光元件有源矩阵层形成在所述基板上并包括薄膜晶体管和互连;以及用于驱动所述光接收元件的光接收元件有源矩阵层,该光接收元件有源矩阵层形成在所述基板上并包括薄膜晶体管和互连,所述活体传感器被配置为在第一时刻驱动所述发光元件中的一些发光元件,用来自所驱动的发光元件的光照射活体的内部并通过所驱动的发光元件周围的所述光接收元件来接收从所述活体的内部反射的光,以及在与所述第一时刻不同的第二时刻驱动所述已驱动发光元件以外的其它发光元件,用来自该其它发光元件的光照射所述活体的内部并通过所述其它发光元件周围的所述光接收元件来接收从所述活体的内部反射的光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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