[发明专利]活体传感器在审

专利信息
申请号: 201410392402.0 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN104157665A 公开(公告)日: 2014-11-19
发明(设计)人: 秋山政彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/28 分类号: H01L27/28;H01L27/32
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 活体 传感器
【权利要求书】:

1.一种用于获取活体中信息的活体传感器,包括:

发光元件,该发光元件分别形成在基板上的多个像素区域的一些中;

光接收元件,该光接收元件分别形成在所述多个像素区域的一些剩余的像素中;

用于驱动所述发光元件的发光元件有源矩阵层,该发光元件有源矩阵层形成在所述基板上并包括薄膜晶体管和互连;以及

用于驱动所述光接收元件的光接收元件有源矩阵层,该光接收元件有源矩阵层形成在所述基板上并包括薄膜晶体管和互连,

所述活体传感器被配置为

在第一时刻驱动所述发光元件中的一些发光元件,用来自所驱动的发光元件的光照射活体的内部并通过所驱动的发光元件周围的所述光接收元件来接收从所述活体的内部反射的光,以及

在与所述第一时刻不同的第二时刻驱动所述已驱动发光元件以外的其它发光元件,用来自该其它发光元件的光照射所述活体的内部并通过所述其它发光元件周围的所述光接收元件来接收从所述活体的内部反射的光。

2.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述基板是柔性基板。

3.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,

所述发光元件有源矩阵层包括控制晶体管和驱动晶体管,并且通过所述驱动晶体管在所述发光元件上操作从而即便在当所述控制晶体管处于截止态的时间段也发光。

4.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述传感器还包括驱动晶体管、控制晶体管、发光元件信号线、发光元件扫描线和供电线,其中

所述控制晶体管的源极连接于所述发光元件信号线,所述控制晶体管的漏极连接于所述驱动晶体管的栅极,所述控制晶体管的栅极连接于所述发光元件扫描线,所述驱动晶体管的源极连接于所述供电线,且所述驱动晶体管的漏极连接于所述发光元件的阳极。

5.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述基板是透明的,并且所述发光元件向所述基板的一侧发射光,且所述光接收元件从所述基板的所述一侧接收光。

6.如权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述光接收元件包括传感器光接收元件和监控光接收元件,所述传感器光接收元件接收从所述发光元件发射并从所述活体的内部反射的光,所述监控光接收元件直接测量从所述发光元件发射的一些所述光而不使所述光出现在所述基板的外部。

7.一种用于获取活体信息的活体传感器,包括:

包括不透明互连层的基板;

形成在所述基板上的绝缘膜,该绝缘膜包括多个在基板中平面方向上分开的开孔;

在所述多个开孔中的一些中分别形成的发光元件,每一个发光元件包含由半导体材料形成的发光层和上电极层;

在所述多个开孔的剩余开孔的一些中分别形成的光接收元件,每一个光接收元件包含由半导体材料形成的光接收层和上电极层;

用于驱动所述发光元件的发光元件有源矩阵层,该发光元件有源矩阵层形成在所述基板上并包括薄膜晶体管和互连;以及

用于驱动所述光接收元件的光接收元件有源矩阵层,该光接收元件有源矩阵层形成在所述基板上并包括薄膜晶体管和互连,

所述活体传感器被配置为

在第一时刻驱动所述发光元件中的一些发光元件,用来自所驱动的发光元件的光照射活体的内部并通过所驱动的发光元件周围的所述光接收元件来接收从所述活体的内部反射的光;以及

在与所述第一时刻不同的第二时刻驱动所述已驱动发光元件以外的其它发光元件,用来自该其它发光元件的光照射所述活体的内部并通过所述其它发光元件周围的所述光接收元件来接收从所述活体的内部反射的光。

8.如权利要求7所述的传感器,其特征在于,所述发光元件的所述半导体材料与所述光接收元件的所述半导体材料不同,所述发光元件的所述上电极层和所述光接收元件的所述上电极层形成了共用电极,且每一个互连层形成于由所述开孔指定的区域外部的区域上并位于与所述绝缘膜的所述开孔分开的位置,其分开的距离是对应于所述绝缘膜的厚度的两倍或者更多。

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