[发明专利]一种低漏电低正向压降肖特基二极管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410389537.1 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104134703A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 鲁艳春;杨忠武;王国峰 | 申请（专利权）人： | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的主要目的为提供一种低漏电低正向压降肖特基二极管及其制备方法，此方法采用结终端扩展技术保护终端，同时对肖特基主结势垒区进行中和调制，并且此两项的注入同时进行，提高了击穿电压，并可达到良好的低漏电效果，又工艺制程简单。本发明应用后可采用低电阻率的外延片来制造肖特基二极管，有效地降低了正向压降，既达到高压效果，并提高低漏电低压降效果。本发明可得到高效率的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本发明二极管的应用范围更为广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 正向 压降肖特基 二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，其结构包括：以N或P型半导体为基片，在上面形成N‑或P‑外延层，在外延层上形成势垒层，再形成金属阳极，边缘造型设置带有浓度梯度的结扩展终端，有源区内注入小剂量的P或N型杂质来提高表面的电阻率，以达到提高势垒高度的作用，两个结在同一次光刻版上完成。
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