[发明专利]一种低漏电低正向压降肖特基二极管结构及其制备方法

权利要求书

1.一种肖特基势垒二极管，其结构包括：以N或P型半导体为基片，在上面形成N-或P-外延层，在外延层上形成势垒层，再形成金属阳极，边缘造型设置带有浓度梯度的结扩展终端，有源区内注入小剂量的P或N型杂质来提高表面的电阻率，以达到提高势垒高度的作用，两个结在同一次光刻版上完成。

2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述的边缘造型为带有浓度梯度缓变型终端，有源区的注入是和终端的注入用一次光刻版制成。

3.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，光刻版在终端区设计不同尺寸和间距的透光区，越靠近有源区的透光区越大；有源区的单位透光区面积低于终端区的最小区域的单位透光面积，保证注入杂质后，终端区形成耗尽层，而有源区仍属于原杂质类型，只是提高有源区的电阻率。

4.一种肖特基势垒二极管的制备方法，其步骤包括：在硅外延片先形成氧化层，光刻注入与硅片相反类型杂质，然后形成金属势垒和上、下电极金属。

5.根据权利要求4所述的肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于，注入剂量低于1E13cm^-2,以保证不形成反型层，同时剂量要高于1E11cm^-2,以保证能形成表面耗尽层，降低表面电场，提高电压。